2024年6月29日上午，由廣州漢源微電子封裝材料有限公司和天津工業(yè)大學(xué)主辦的“功率半導(dǎo)體模塊封裝關(guān)鍵材料與工藝聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”揭牌儀式在天津工業(yè)大學(xué)成功舉辦。來自國(guó)內(nèi)知名半導(dǎo)體器件上下游企業(yè)、高校、科研院所、社會(huì)團(tuán)體的領(lǐng)導(dǎo)、專家共計(jì)30多人出席活動(dòng)。

▲聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室牌匾

01?揭牌儀式

廣州漢源微與天津工業(yè)大學(xué)“功率半導(dǎo)體模塊封裝關(guān)鍵材料與工藝”聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室的揭牌儀式上，天津工業(yè)大學(xué)工業(yè)技術(shù)研究院院長(zhǎng)王亮致辭，對(duì)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室的成立表示祝賀，充分肯定聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室是雙方深化“產(chǎn)學(xué)研”合作的里程碑，是加強(qiáng)科研創(chuàng)新和科技成果轉(zhuǎn)化的重要平臺(tái)，是探索和發(fā)展科研新質(zhì)生產(chǎn)力的重要體現(xiàn)。

▲天津工業(yè)大學(xué)工業(yè)技術(shù)研究院院長(zhǎng)王亮作歡迎致辭

廣州漢源微電子封裝材料有限公司董事長(zhǎng)陳明漢表示：

在電子信息技術(shù)飛速發(fā)展的今天，高性能的半導(dǎo)體封裝材料對(duì)于提升整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的核心競(jìng)爭(zhēng)力至關(guān)重要。廣州漢源自創(chuàng)立以來，始終專注于電子和半導(dǎo)體封裝焊料的研發(fā)與生產(chǎn)，漢源不斷投入研發(fā)力量，致力于推動(dòng)半導(dǎo)體封裝材料的創(chuàng)新與發(fā)展。天津工業(yè)大學(xué)，作為一所歷史悠久、實(shí)力雄厚的高等學(xué)府，在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域擁有深厚的學(xué)術(shù)積累和豐碩的科研成果。今天，漢源微與天津工業(yè)大學(xué)攜手合作，共同成立聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，旨在加強(qiáng)產(chǎn)學(xué)研深度融合，推動(dòng)第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵材料與工藝研發(fā)及測(cè)試。這是一次強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合、互利共贏的戰(zhàn)略合作，必將為我們雙方帶來更加廣闊的發(fā)展空間。面向未來，聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室將從加強(qiáng)技術(shù)攻關(guān)、推進(jìn)成果轉(zhuǎn)化、培養(yǎng)優(yōu)秀人才三方面共同努力和協(xié)作，將聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室發(fā)展成為半導(dǎo)體封裝材料領(lǐng)域的重要科研平臺(tái)和創(chuàng)新高地。

▲漢源微陳明漢董事長(zhǎng)（左）和天工大梅云輝教授（右）共同揭牌

02?參觀實(shí)驗(yàn)室

揭牌儀式結(jié)束后，在場(chǎng)所有參會(huì)嘉賓在梅云輝教授的帶領(lǐng)下參觀了聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室，并交流了實(shí)驗(yàn)室的現(xiàn)有條件、研究開發(fā)能力、人才結(jié)構(gòu)等內(nèi)容。

漢源微、天工大聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室參觀、交流

聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室所在科研中心固定資產(chǎn)投資近1.5億元，可以完成以IGBT和MOSFET為代表的先進(jìn)功率模組封裝、關(guān)鍵封裝材料及工藝開發(fā)與服務(wù)、測(cè)試與失效分析等，主要體現(xiàn)于：