金屬低溫燒結材料內含Ag金屬，故而它的耐高溫能力比較強，同時還可滿足某些IGBT功率大器件的粘結強度要求。這也是許多MOSFET功率器件生產廠家對它青睞有嘉的根本原因之一，現在就金屬燒結材料的應用與開發使IGBT模塊制造發生了哪些變化作簡要闡述：

1. 改進了IGBT模塊散熱差的問題

金屬低溫燒結材料在IGBT模塊制造作業中發揮了巨大作用。傳統的IGBT模塊即使選用焊膏或預成型釬料薄膜，并通過回流焊工藝熔化與固化，但是這種制造方法容易導致IGBT模塊的熱量傳輸通道功能不良，而金屬低溫燒結材料則可將銀顆粒的尺寸減小到納米級，從而達到提升IGBT模塊散熱性能的目的。

2. 改進了IGBT模塊使用壽命短的問題

選擇高品質的金屬低溫燒結材料應用于IGBT模塊制造中，大大有助于改進IGBT模塊使用壽命短等問題。IGBT模塊中含有多個不同厚度的芯片，采用傳統方法進行焊接容易導致某些芯片的結點溫度被限制，而金屬低溫燒結材料可將納米級的燒結顆粒推入到模塊中。

3.改進了IGBT模塊的熱電導率較差的問題

金屬低溫燒結材料對于低溫低壓環境具有較高的適應能力，將它應用于IGBT模塊中將大大有助于改進IGBT模塊的熱電導率較差等問題。因為這種材料本身的熱導率與電導率就要高于其它材料。

金屬低溫燒結材料使得IGBT模塊獲得了飛躍性提升。部分高品質的低溫燒結材料更是成為引流吸粉的關鍵，事實上金屬燒結材料的應用與開發不僅改進了IGBT模塊散熱差與使用壽命短等問題，而且還改進了IGBT模塊的熱電導率較差等問題。